ULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000L
ULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000LULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000L金属的相变态、时效、再结晶反应。用直流四端子法可精密测量金属合金、半导体的电阻。特点可以在恒温升/降温过程和恒温保持过程中测量电阻通过直流四端子方法可以进行高精度测量测量不受热电动势的影响用途金属的相变,时效析出,再结晶等研究非晶态金属的再结晶分析形状记忆合金的研
- 型号: TER-2000L
ULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000LULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000L金属的相变态、时效、再结晶反应。用直流四端子法可精密测量金属合金、半导体的电阻。特点可以在恒温升/降温过程和恒温保持过程中测量电阻通过直流四端子方法可以进行高精度测量测量不受热电动势的影响用途金属的相变,时效析出,再结晶等研究非晶态金属的再结晶分析形状记忆合金的研
ULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000L
ULVAC爱发科 金属/半导体用电阻测量装置 TER-2000L
可以在恒温升/降温过程和恒温保持过程中测量电阻
通过直流四端子方法可以进行高精度测量
测量不受热电动势的影响
金属的相变,时效析出,再结晶等研究
非晶态金属的再结晶分析
形状记忆合金的研究与开发
半导体材料的各温度下的电阻测量
| Model | TER-2000RH | TER-2000L |
|---|---|---|
| Temperature range | RT ~ 1400℃ | -150℃~200℃ |
| Measurement method | DC four terminal method | |
| Measurement range | 100Ω~5×10-5Ω | |
| Sample Size | Φ 10 × L 100 (mm) | |
| tmosphere | Inert gas, Air, Vacuum (option) | |