ULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ω
ULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ωULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ω能够简单地评估纳米薄膜的热膨胀率。在2ω测量中，是测量纳米薄膜厚度方向的热膨胀率的世界唯一的设备。与其他方式相比，能够简单地进行试料的制作和测量。特点测量纳米级薄膜的导热系数样品准备简单用途适合热设计所需薄膜的热导率评估（半导体器件薄膜，有机薄膜，Low-k薄膜）也可以评估热电转
- 型号： TCN-2ω
ULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ω
ULVAC爱发科 2ω法纳米薄膜热启动率计 TCN-2ω
能够简单地评估纳米薄膜的热膨胀率。
在2ω测量中，是测量纳米薄膜厚度方向的热膨胀率的世界唯一的设备。
与其他方式相比，能够简单地进行试料的制作和测量。
在2ω测量中，是测量纳米薄膜厚度方向的热膨胀率的世界唯一的设备。
与其他方式相比，能够简单地进行试料的制作和测量。
特点
测量纳米级薄膜的导热系数
样品准备简单
用途
适合热设计所需薄膜的热导率评估（半导体器件薄膜，有机薄膜，Low-k薄膜）
也可以评估热电转换材料的薄膜
规格
| 测量特性 | RT |
|---|---|
| 样本量 | W10×L10～20×t0.3～1(mm)(基板) |
| 测量气氛 | 真空 |
专利和标准
热性能测量方法（日本专利第5426115号）
测量原理
采用基本频率（f/Hz）的周期加热方式对金属薄膜进行加热。因此，热能响应频率 2 f/Hz 等于基本频率的两倍。如图所示，薄膜由金属薄膜（0）-薄膜（1）-基板组成的情况下，金属薄膜上表面的温升T（0）可以计算为一维热传导模型的基础。假设能量完全到达底部基板，T(0)如下式：
（λ / W m -1 K -1 , C / JK -1 m -3 , q/ W m -3 , d / m , ω (=2πf ) / s -1 ）
我们注意到实部（同相幅度）包含薄膜的信息。假设热能完全到达底部基板，则同相幅度与(2ω) -0.5成正比。薄膜的热导率（λ 1 ）由（m：斜率，n：截距）估算
TCN-2ω示意图
TCN-2ω测量各种SiO 2薄膜的实验结果
薄膜评估
样品制备
SiO 2薄膜（20-100nm）-硅衬底
| d 1 /纳米 | 19.9 | 51.0 | 96.8 |
|---|---|---|---|
| λ 1 / Wm -1 K -1 | 0.82 | 1.12 | 1.20 |