ULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HT
ULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HTULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HT本系列对应各种热电材料的特性及薄膜等特殊规格。针对各种材料的特点,比如高温、高电阻、薄膜等,是能满足各种需求的热电特性评价装置。用途半导体,陶瓷和金属等多种材料的热电特性评估特点适用于各种热电材料和薄膜等特殊规格温度检测传感器采用C型热电偶,非常适合评估Si基热电材料(SiG
- 型号: ZEM-5HT
ULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HTULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HT本系列对应各种热电材料的特性及薄膜等特殊规格。针对各种材料的特点,比如高温、高电阻、薄膜等,是能满足各种需求的热电特性评价装置。用途半导体,陶瓷和金属等多种材料的热电特性评估特点适用于各种热电材料和薄膜等特殊规格温度检测传感器采用C型热电偶,非常适合评估Si基热电材料(SiG
ULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HT
ULVAC爱发科 厚度方向热电特性评价装置 ZEM-5HT
本系列对应各种热电材料的特性及薄膜等特殊规格。
针对各种材料的特点,比如高温、高电阻、薄膜等,是能满足各种需求的热电特性评价装置。
半导体,陶瓷和金属等多种材料的热电特性评估
适用于各种热电材料和薄膜等特殊规格
温度检测传感器采用C型热电偶,非常适合评估Si基热电材料(SiGe,MgSi等)(HT型)
标准配备V / I图,用于欧姆接触的自我诊断
可以测量高达1200℃(HT型)
支持高达10MΩ的高电阻(HR型)
能够测量沉积在基板上的材料(TF型)
‐温度控制可以在150℃至200℃之间(LT型)
热电JIS R 1650-1
抵抗力JIS R 1650-2
| Model | ZEM-5HT | ZEM-5HR | ZEM-5LT | ZEM-5TF |
|---|---|---|---|---|
| Features | High temperature | High resistance | Low and middle temperature | Thin film |
| Temperature Range | 100℃~1200℃ | 100℃~800℃ | -150℃~200℃ | 50℃~500℃ |
| Sample Size | 2 to 4 mm square or Φ2 to 4 mm x 3 to 15 mm length | Deposited substrate:2 to 4 mm width x 0.4 to 1.2 mm thickness mm x 20 mm length Thin film thickness: nm scale or thicker *An insulation layer is required between the sample film and the substrate | ||
| Thermocouple | C | R | K | R |
| Measurement accuracy | Seebeck coefficient: ±7% Electric resistivity: ±7% (less than 5mm long sample is not eligible.) | |||
Sample measurement, control and measurement assy. 1 set
Data acquisition. 1 set
Atmosphere controller. 1 set
| Power | Main body AC200V, 40A 1 location PC AC100V, 10A 2 locations |
|---|---|
| Cooling water | Water pressure 0.15 MPa Flow rate 5L/min |
| Atmosphere gas | Low pressure He gas 0.2 MPa (Low pressure and static atmosphere) |
| Space requirement | Approx.750mmW × 900mmD (Installed on table) |
Seebeck coefficient measurement shall be done by changing 3 temperature gradients and dividing dark electromotive force.
Temperature setting screen
V/I plot screen