ULVAC爱发科 小型高频溅射设备 RFS-201 绝缘/金属/半导体材料用
ULVAC爱发科 小型高频溅射设备 RFS-201 绝缘/金属/半导体材料用ULVAC爱发科 小型高频溅射设备 RFS-201 绝缘/金属/半导体材料用配有RF电源的小型高频溅射设备。可以实现金属，半导体，绝缘体成膜，因此非常适用于基础研究开发等实验用途。特点绝缘，金属，半导体材料的溅射设备。主泵使用油扩散泵。可以在Φ80mm×1阴极上单层成膜。通过传统溅射，溅射速度可达到20nm/m
- 型号： RFS-201
ULVAC爱发科 小型高频溅射设备 RFS-201 绝缘/金属/半导体材料用
ULVAC爱发科 小型高频溅射设备 RFS-201 绝缘/金属/半导体材料用
配有RF电源的小型高频溅射设备。
可以实现金属，半导体，绝缘体成膜，因此非常适用于基础研究开发等实验用途。
特点
绝缘，金属，半导体材料的溅射设备。
主泵使用油扩散泵。
可以在Φ80mm×1阴极上单层成膜。
通过传统溅射，溅射速度可达到20nm/min（SiO2）
规格
| 型式 | RFS-201 | |
| 真空性能 | 极限压力 | 6.6×10-４Pa |
| 排气时间 | 6.6×10-３Pa/5min | |
| 真空槽 | 真空槽 | 金属腔 （200mm(W)×250mm(D)×150mm(H)) |
| 阴极 | Φ80mm、1元 | |
| 基板推荐尺寸 | Φ80mm×t1-5mm | |
| 有効成膜范围 | 50mm | |
| 成膜速度 | SiO2 SiO2, 成膜20nm/min以上 | |
| 膜厚分布 | SiO2 SiO2, 成膜50mm范围±8％以内 | |
| 基板加热温度 | Max 350℃ | |
| 基板／电极间距 | 30～50mm(可変） | |
| 排气系统 | 主泵 | 油扩散泵（水冷） 150L/sec |
| 液体氮气捕集器 | 选项 | |
| 補助泵 | 油回转泵 100L/min | |
| 油雾捕集器 | 油雾捕集器 OMT-100A | |
| 操作系统 | 主阀 | 插板阀 |
| 補助阀 | 三通阀 | |
| 自动泄露阀 | 选项 | |
| 操作 | 手动 | |
| 控制系统 | RF电源 | Max 300W (0～300Ｗ可変） |
| 皮拉尼真空计 | G-TRAN | |
| 电离真空计 | 选项 | |
| 设置 | 最大尺寸 | 764mm（W）×723mm（D）×1648mm（H） |
| 质量 | 260kg | |
效用
| 型式 | RFS-201 |
| 所要电气量 | 200V 单相 50/60Hz 2.8kVA |
| 接地端子 | A种 （接地抵抗値 10Ω以下） |
| 所要水量 | 5.0 L／min (水温:25℃以下、水圧:200～300kPa（表压）) |
| 组合连接 （电源） | 橡胶绝缘软电缆（带R2-5压接端子） 4m |
| 组合连接 （接地） | 接地电缆（铜板） 4m |
| 组合连接（水） | 涤纶软管（内径9mm×外径15mm）、4m（2本） |
尺寸图
真空槽内部构成
基本构成
| [1] | 罩子 |
| [2] | 阴极 |
| [3] | 阳极 |
| [4] | 快门 |
| [5] | 电流导入端子 |
| [6] | 热电偶导入端子 |
| [7] | 真空计端口 |
| [8] | 支架 |
| [9] | 背板 |
| [10] | 靶材 |
| [11] | 准备端口 |
| [12] | 正门 |
支架图
[標準]
