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GaAs 霍尔传感器A-6日本

关于 GaAs 霍尔传感器霍尔传感器材料包括InSb(锑化铟)、Si(硅)、InAs(砷化铟)、GaAs(砷化镓)等,但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的,有时它的优点是灵敏度温度系数小,相对于磁场强度的线性度好,高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs(砷化镓)作为霍尔元件。型号名称尖端尺寸磁感受区测量范围主要用途A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途A-1Sφ550

  • 型号:

关于 GaAs 霍尔传感器

霍尔传感器材料包括InSb(锑化铟)、Si(硅)、InAs(砷化铟)、GaAs(砷化镓)等,但我们使用的GaAs霍尔传感器是恒流工作的,有时它的优点是灵敏度温度系数小,相对于磁场强度的线性度好,高频特性优良。我们所有的探头产品都使用这种 GaAs(砷化镓)作为霍尔元件。

型号名称尖端尺寸磁感受区测量范围主要用途
A-1φ550 x 50 微米0-3T一般用途
A-1Sφ550 x 50 微米0-3T用于系统测量
A-4φ350 x 50 微米0-3T一般用途
A-5φ2.550 x 50 微米0-3T一般用途
A-6φ1.250 x 50 微米0-3T对于狭窄的间隙
A-8φ2.250 x 50 微米0-3T一般用途
A-301φ530 x 30 微米0-5T用于微磁场测量


主要规格项目A-6
主要用途对于狭窄的间隙
霍尔元件砷化镓
元素数量1件
测量范围0-3T
工作温度限制-20 至 + 60°C
磁感受区50 微米 x 50 微米
元件安装件质量聚酰亚胺
尖端轴直径φ1.2
轴材质铜(铜)
电缆长度3m(标准)


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